Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила в среду о разработке нового технологического процесса производства микросхем динамической памяти. Компании удалось достичь небывалого доселе уровня миниатюризации элементов схемы - их размеры не превышают 70 нм. В настоящее время в полупроводниковой промышленности идет переход от 130-нанометровой к 90-нанометровой технологии.

Нужно отметить, что инженерам Samsung удалось обойти ряд ограничений, из-за которых размеры элементов схем динамической памяти ограничивались 80 нм. В частности, вместо традиционных кремниевых конденсаторов в новых схемах используются конденсаторы на базе металлических электродов. Компания намерена в ближайшее время запатентовать новую разработку.

Как говорят представители Samsung, новая технология производства динамической памяти готова к промышленному воплощению. Ее планируется использовать для производства 512-мегабитных схем памяти. Кстати, в сентябре прошлого года Samsung успешно разработала 80-нанометровый производственный процесс для выпуска схем DRAM и 70-нанометровый техпроцесс - для изготовления флэш-памяти NAND емкостью 4 гигабита.