Американская компания Kentron Technologies объявила о намерении развернуть в ближайшем будущем производство модулей DDR-памяти повышенной производительности. Модули будут выпускаться с использованием стандартных микросхем DDR266 и DDR400. Увеличение пропускной способности достигается за счет отключения сегментов памяти, не использующихся системой в данный момент, что снижает нагрузку на шину памяти, увеличивая ее эффективную пропускную способность. Для этой цели в модуль встраивается специальный переключатель.

Технология увеличения пропускной способности памяти получила название Quad Band Memory (QBM). Она позволяет достичь эффективной пропускной способности, соответствующей возможностям новых системных шин с эффективными частотами от 533 до 800 МГц. Максимальная скорость обмена данными в случае одноканальной памяти QBM800 (на основе микросхем DDR400) составляет 6,4 Гб/с, а двухканальной - 12,8 Гб/с. Как утверждают в Kentron, стоимость модулей QBM будет значительно ниже, чем у устройств, использующих микросхемы DDR II и даже DDR III, при сравнимой производительности.

Первые модули QBM800 производства Kentron и ее партнеров должны появиться на рынке во второй половине будущего года - именно к этому времени можно ожидать начала выпуска процессоров, использующих шину с частотой 800 МГц. Несколько раньше появится память QBM667 на основе чипов DDR333. А раньше всех - в первом квартале 2003 г. - начнутся продажи модулей памяти QBM533 на основе микросхем DDR266. Эти модули будут обеспечивать скорость обмена данными до 4,2 Гб/с, что отвечает потребностям систем с шиной, работающей на частоте 533 МГц. Использовать память QBM можно будет на материнских платах на базе чипсета VIA P4X800, который оснащен соответствующим контроллером памяти.