Южнокорейская компания Hynix Semiconductor начала опытное производство микросхем памяти DDR SDRAM с рабочей частотой 500 МГц. По заявлениям компании, эта самая быстрая в мире DDR-память первого поколения. Ее пропускная способность достигает 1 Гбит/с.

Новая микросхема имеет емкость 128 Мбит и выпускается в корпусе FBGA со 144 выводами. Дата начала массового производства чипов с частотой 500 МГц пока не сообщается. Однако уже в первом квартале будущего года Hynix планирует начать поставки опытных партий микросхем памяти DDR-II, также использующей частоту 500 МГц.

Что касается DDR-памяти первого поколения с частотой 500 МГц, то она обеспечивает производительность, сравнимую с менее высокочастотными микросхемами DDR-II. А цена 500-мегагерцевой DDR примерно на 10% ниже цены DDR-II.