Компания Elpida анонсировала 256-мегабитные модули памяти DDR и SDRAM для мобильных устройств. Сообщается, что это первые чипы такой ёмкости, созданные специально для мобильных телефонов, КПК и цифровых фотоаппаратов.

DDR-модули обеспечивают пропускную способность в 400 Мбит в секунду. Выполненные по 0,11-микронному техпроцессу, новые модули мобильной памяти потребляют на 90% меньше энергии, чем стандартные 256-мегабитные модули. Новые чипы занимают на 10% меньше места, чем две микросхемы по 128 Мбит, что немаловажно при проектировании миниатюрных устройств.

Новые микросхемы памяти умещаются на десятицентовой монете

Четыре миллиона ячеек памяти в чипах организованы по 16 битов в 4 банках. Объём данных (burst length), к которым происходит обращение в одном цикле, программируется. Напряжение питания внутренних цепей и буферов ввода-вывода (VDD/VDDQ) составляет 1,8 В с погрешностью +/- 0,15 В. Память упакована в корпус FBGA размерами 9 х 13 мм.

Функция ATCSR (Auto Temperature-Compensated Self Refresh) автоматически регулирует интервал подзарядки, опираясь на данные температурного сенсора, что позволяет ещё уменьшить энергопотребление чипа. В таком случае отпадает и необходимость внешнего управления подзарядкой.

Поставки новых DDR-модулей начнутся в июне 2003 г., модулей SDRAM - в августе. Технологические образцы можно заказать уже сейчас. Доступна и бескорпусная реализация микросхем, для встраивания их в однокристальные системы.