Компании Rambus, Toshiba и Elpida совместно представили новый стандарт оперативной памяти XDR DRAM. Утверждается, что новые модули памяти будут работать в восемь раз быстрее самых лучших образцов из существующих на сегодняшний день.

В новинке использован интерфейс Yellowstone, проектировавшийся для почившей в бозе RDRAM и обеспечивающий тактовую частоту памяти в 3,2 ГГц. В планах разработчиков - довести частоту до 6,4 ГГц, при этом пропускная способность памяти может достичь 100 Гбайт/с.

Память будет выпускаться модулями от 256 Мб до 8 Гб. Ширина шины данных будет варьироваться от одного до 32 бит. Четырёхслойная печатная плата позволит создавать недорогие модули. Новая, так называемая "матричная" топология обеспечит гибкость архитектуры, и на плате смогут размещаться от одного до 36 чипов памяти.

Сейчас производителям памяти уже доступны комплектующие и документация, касающиеся нового стандарта, так что в скором времени можно ожидать появления первых модулей на рынке. Toshiba и Elpida представят первые образцы в 2004 году, а массовый выпуск запланирован на 2005 год.