Корпорация Intel объявила о разработке принципиально новых материалов для производства полупроводниковых компонентов, которые позволят существенно снизить энергопотребление и тепловыделение процессоров. По официальной информации, специалисты Intel создали транзисторы с рекордными параметрами производительности с использованием нового материала затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новых сплавов для производства затвора транзистора.

В лабораториях Intel удалось довести толщину слоя материала (диоксида кремния) затвора до 1,2 нм, то есть всего пяти атомных слоев. Однако по мере уменьшения толщины слоя диоксида кремния, возрастает ток утечки через диэлектрик, что приводит к потерям тока и избыточному тепловыделению. Для решения этой проблемы диоксид кремния был заменен новым материалом с высокой диэлектрической проницаемостью, который наносится более толстым слоем. По информации Intel, новый диэлектрик позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия.

Поскольку вещество с высокой диэлектрической проницаемостью несовместимо с современными материалами, из которых изготавливаются затворы, возникла необходимость разработки нового сплава. Как утверждают в Intel, сочетание материала затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и нового сплава позволяет радикально уменьшить токи утечки, сохранив при этом высокие рабочие параметры транзисторов. В Intel рассматривают возможность использования транзисторов, изготовленных из новых материалов, при производстве процессоров по 0,045-микронной технологии уже в 2007 году. Подробности о новых материалах для выпуска микросхем планируется обнародовать 6 ноября на Международном семинаре по полупроводникам, который пройдет в столице Японии городе Токио.