Американская корпорация Intel продемонстрировала полнофункциональные микросхемы SRAM (статической оперативной памяти) с использованием технологического процесса следующего поколения с проектной нормой 65 нанометров (0,065 микрона). Новые микросхемы SRAM объемом 4 Мбита имеют чрезвычайно малый размер ячейки памяти – 0,57 мкм², что позволяет увеличить объем кэш-памяти и, следовательно, производительность процессоров. Каждая ячейка памяти SRAM содержит шесть транзисторов, 10 миллионов которых может поместиться на одном квадратном миллиметре, что по площади сопоставимо с кончиком стержня шариковой ручки.

Переход на 65-нанометровую технологию позволит удвоить количество транзисторов, размещаемых на одном кристалле, по сравнению с применяемыми сегодня технологиями. Новый технологический процесс имеет несколько составляющих: высокопроизводительные и экономичные транзисторы, технологию напряженного кремния второго поколения, высокоскоростные медные соединения и материал с низкой диэлектрической проницаемостью. Новые транзисторы имеют длину затвора всего 35 нм. Для сравнения, наиболее совершенные современные транзисторы, применяемые в при изготовлении процессора Intel Pentium 4, имеют длину 50 нм. Intel применила в новом технологическом процессе второе поколение своей технологии высокоэффективного напряженного кремния. Применение напряженного кремния позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на два процента. Новый процесс также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, что дает возможность повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора.

Полупроводниковые компоненты на базе 65-нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо, штат Орегон, где этот технологический процесс и был разработан. D1D – самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой "чистой комнатой" площадью более 16 тысяч квадратных метров – примерно три с половиной футбольных поля. Серийное производство микросхем по 0,065-микронной технологии на 300-миллиметровых подложках планируется начать в 2005 году.